英飞凌扩大碳化硅制造产能以满足 2026 年日益增长的功率半导体需求

英飞凌科技大幅扩大其碳化硅（SiC）制造布局，新增 200mm 晶圆生产线，以满足汽车 OEM 和工业客户向宽禁带功率半导体转型的加速需求。

此次扩产体现了对 SiC 技术的重大投入，该技术在电动汽车牵引逆变器、车载充电器和工业电源等大功率应用中，相比传统硅 IGBT 具有显著效率优势。

对于采购功率半导体的团队来说，英飞凌扩大 SiC 产能意味着宽禁带器件的供货改善。此前因供不应求，这类产品一直面临较长的交货周期。新的 200mm 晶圆线将增加关键 SiC MOSFET 和二极管产品的产量。

我们认为，采购方应尽早与英飞凌及其他 SiC 供应商沟通，为 2027 年生产计划争取配额，因为宽禁带功率器件在汽车和工业领域的转型正在加速。

包括 SiC 和 GaN 器件在内的宽禁带半导体市场，在电动汽车普及、可再生能源基础设施和工业电气化的推动下，预计到 2030 年复合年增长率将超过 20%。英飞凌的产能扩张使其能够在这一快速增长的市场中占据更大份额。

对于分销商和 OEM 来说，扩产意味着中期内 SiC 器件的价格更具竞争力、交货周期更短，但随着新产线爬坡，2026 年内预计仍将存在供应紧张。